題 目：二維半導(dǎo)體材料的可控制備及其應(yīng)用
時(shí) 間：2025年3月12日（星期三）16:30
主講人：秦彪
地 點(diǎn)：弘智樓（第21教學(xué)樓）105會(huì)議室
主辦單位：材料與能源學(xué)院
主講人簡(jiǎn)介：秦彪，北京大學(xué)物理學(xué)院博士。主要從事芯片用二維單晶材料的表界面調(diào)控制備及其光學(xué)、電學(xué)性能研究，取得了一系列具有原創(chuàng)性的重要研究成果。申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利3項(xiàng)、PCT國(guó)際專(zhuān)利1項(xiàng)。相關(guān)成果被《人民日?qǐng)?bào)》、新華社、《光明日?qǐng)?bào)》等多家央媒聚焦報(bào)道，入選中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展。
講座簡(jiǎn)介：
隨著全球硅基集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“后摩爾時(shí)代”，芯片性能提升變得愈發(fā)困難。二維半導(dǎo)體過(guò)渡金屬硫族化合物（TMDs）材料因其優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，成為下一代先進(jìn)制程電子學(xué)和光子學(xué)的關(guān)鍵材料。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，包括英特爾、臺(tái)積電和三星等，均在積極布局TMDs材料。與其他構(gòu)型TMDs相比，菱方相3R-TMDs具備更高的載流子遷移率及電流密度、高能效體光伏效應(yīng)、相干增強(qiáng)非線(xiàn)性光學(xué)響應(yīng)等性能。這里，我們提出了一種全新的“晶格傳質(zhì)-界面外延”生長(zhǎng)晶圓級(jí)3R-TMDs單晶新范式，為大規(guī)模電子集成電路和光子集成電路芯片等多個(gè)前沿技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展帶來(lái)了新機(jī)遇。
